徐现刚，男，泰安市人，1965年1月生，教授，博士生导师。
1992年获得山东大学凝聚态物理博士学位，师从于蒋民华院士。2000年留美回国-至今，获教育部第一批长江计划的特聘教授，2000年度国家杰出青年科学基金获得者，973首席科学家，主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作。
自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用工作，制备出多种量子异质结构材料如量子阱、超晶格、2DEG，多种薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，应用到多种半导体器件如：半导体激光器、发光二极管、HBT、HEMT等。积极响应国家号召，践行产学研结合，服务地方服务山东省，把科技创新的成果产业化；自2000年开始碳化硅单晶生长和加工工作，先后突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的单晶生长技术，解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题，制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。先后承担了多项863、973、国家重大专项等课题。
获得多项表彰和奖励，如1995年洪堡学者，1998年获得由IEE颁发的电子学 Letters Premium，1999年在美国获得由IEEE颁发的Best Paper Award，2000年获得“国家杰出青年基金”，2003年“山东省科技进步一等奖”、“山东省留学回国创业奖”，2005年获“山东省十大杰出青年”，2007年获“政府特殊津贴奖”，2013年获得“山东省技术发明一等奖”等。任国务院学位委员会委员、国家863计划半导体照明工程总体专家组专家等等。
简介
2001年1月获“国家杰出青年基金”奖，2005年11月被教育部聘为“长江学者”特聘教授。享受2007年国务院政府特殊津贴。现任山东大学晶体材料国家重点实验室副主任。 《人工晶体学报》专业委员，“中国晶体协会”理事山东大学教授，长江学者特聘教授，国家杰出青年基金获得者。
学习工作经历
1982年考入山东大学物理系并先后获得学士、硕士、博士学位。
1992年起任山东大学晶体所讲师、副教授，
1995赴德国亚大学半导体技术研究所做洪堡学者，
1997年赴加拿大从事博士后/助研，
1999至2000年任美国SEP公司技术部经理。
2000年至今任山东大学晶体材料国家重点实验室教授，教育部长江学者特聘教授，博士生导师，美国物理学会会员，中国青年材料委员会理事，中国晶体学会理事，“材料科学与工程”杂志编委；兼任山东华光光电子有限公司总工程师。
主要学术成绩
一直从事半导体材料制备及其应用研究的工作，参加国家计委的产业化前期关键技术项目，开辟了大直径碳化硅单晶衬底制备的研究方向。
制备出650nm可见光半导体激光器，阈值电流低达8mA，成功转入产业化生产；制备出808nm有源层无铝半导体激光器；2005年制备出高亮度AlGaInP红色发光二极管，亮度达到150mcd以上，满足规模生产的要求，达到台湾省、美国等国际一流公司的产品水平；采用升华法和优化锅设计及温场分布，在国内成功地生长出直径大于2英寸的SiC单晶；进行InP/GaAsSb/InP双异质结晶体三极管研究。在半导体光电材料与器件应用方面作出了突出贡献，凭借多年的半导体薄膜制备经验，攻克了材料生长、器件工艺等多项难关，顺利把创新科技成果实现产业化，产品占据国内70%的市场，产销量为国内首位。
荣誉
承担多个国家及省部级重大科研课题项目。先后在国际性学术期刊上发表论文八十多篇，被SCI和EI收录论文约70篇。获得专利8项。获山东省科技进步一等奖，美国工程师协会和英国工程师协会最佳论文奖；德国洪堡奖学金，“山东省留学回国创业奖”等学术奖励。被评为2004年度“山东省十大杰出青年”。 2012年获“全国优秀科技工作者”称号 国务院政府特殊津贴等奖励。
参考资料 >